[发明专利]具有低介电损耗的高频构件无效
| 申请号： | 200880017541.8 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101755363A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | P·伯默尔;M·舒伯特 | 申请（专利权）人： | 斯宾纳有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/213 | 分类号： | H01P1/213;H01P3/08;H01B11/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有内部导体结构(2)的高频构件，内部导体结构(2)借助至少一个绝缘元件(4，5)与外部导体电绝缘，其中所述绝缘元件(4，5)机械地支撑所述内部导体结构(2)。所述绝缘元件(4，5)由被成形为三维结构并且通过烧结以所述三维结构固化的、电绝缘材料的薄膜(10)构成，所述薄膜(10)具有一壁厚度，所述壁厚度小于所述绝缘元件(4，5)的通过所述三维结构形成的厚度。根据本发明的高频构件的绝缘元件可被低成本地制造并且与由实心绝缘元件构成的构件相比导致更低的构件插入损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低介电 损耗 高频 构件 | ||
【主权项】：
具有一内部导体结构(2)的高频构件，所述内部导体结构(2)借助至少一个绝缘元件(4，5)与一外部导体电绝缘，其中所述绝缘元件(4，5)机械地支撑所述内部导体结构(2)，其特征在于，所述绝缘元件(4，5)由一被成形为一三维结构并且通过烧结以所述三维结构固化的、电绝缘材料的薄膜(10)形成，所述薄膜(10)具有一壁厚度，所述壁厚度小于所述绝缘元件(4，5)的一通过所述三维结构形成的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯宾纳有限公司，未经斯宾纳有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880017541.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
