[发明专利]具有低介电损耗的高频构件

权利要求书

1.具有一内部导体结构(2)的高频构件，所述内部导体结构(2)借助至少一个绝缘元件(4，5)与一外部导体电绝缘，其中所述绝缘元件(4，5)机械地支撑所述内部导体结构(2)，其特征在于，

所述绝缘元件(4，5)由一被成形为一三维结构并且通过烧结以所述三维结构固化的、电绝缘材料的薄膜(10)形成，所述薄膜(10)具有一壁厚度，所述壁厚度小于所述绝缘元件(4，5)的一通过所述三维结构形成的厚度。

2.根据权利要求1所述的高频构件，其特征在于，所述三维结构的壁厚度在50μm和500μm之间。

3.根据权利要求1或2所述的高频构件，其特征在于，所述绝缘元件(4，5)由一被成形为所述三维结构的PTFE薄膜(10)形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述三维结构被如此形成，使得在一由所述绝缘元件(4，5)占据的体积中所述电绝缘材料的体积份额小于等于25％、优选小于等于10％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述外部导体通过一壳体(3)形成或者被集成在一壳体(3)中，在所述壳体中设置了所述内部导体结构(2)和所述绝缘元件(4，5)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述三维结构具有一锯齿形形状或者一波浪形形状。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述三维结构在至少一个方向上交替地形成凸起和凹入。

8.根据权利要求6或7任一项所述的高频构件，其特征在于，所述三维结构被径向对称地构造。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述内部导体结构(2)以一夹层结构方式嵌入到两个绝缘元件(4，5)之间。

10.根据权利要求9所述的高频构件，其特征在于，所述两个绝缘元件(4，5)具有相同的三维结构并且被互相扭转一角度、优选90°地设置。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述高频构件被构造为多路复用器，尤其是被构造为双工器。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述高频构件被构造为高频滤波器。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述高频构件被构造为高频耦合器。

14.根据权利要求1至10中任一项所述的高频构件，其特征在于，所述高频构件被构造为高频分离器。

15.用于根据权利要求1至14中任一项所述的高频构件的绝缘元件，所述绝缘元件(4，5)由一被成形为一三维结构并且通过烧结以所述三维结构固化的PTFE薄膜(10)形成，所述PTFE薄膜(10)具有一壁厚度，所述壁厚度小于所述绝缘元件(4，5)的一通过所述三维结构形成的厚度。

16.根据权利要求15所述的绝缘元件，其中，所述三维结构的壁厚在50μm和500μm之间。

17.根据权利要求15或16所述的绝缘元件，其中，在一由所述绝缘元件(4，5)占据的体积中所述PTFE薄膜(10)的体积份额小于等于25％、优选小于等于10％。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的绝缘元件，其中，所述三维结构形成一锯齿形形状或者一波浪形形状。

19.根据权利要求15至17中任一项所述的绝缘元件，其中，所述三维结构在至少一个方向上交替地形成凸起和凹入。

20.根据权利要求18或19所述的绝缘元件，其特征在于，所述三维结构被径向对称地构造。