[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200880017424.1 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101681928A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 大村秀之;林享 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨国权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 基板上至少有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源和漏极电极及第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括：基板上形成栅极电极；栅极电极上形成栅绝缘膜；栅绝缘膜上形成含非晶氧化物的半导体层；构图栅绝缘膜；构图氧化物半导体层；在不含氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜而减小氧化物半导体层的电阻；构图第一绝缘膜并在源和漏极电极与氧化物半导体层间形成接触孔；经接触孔在氧化物半导体层中形成源和漏极电极层；经接触孔形成源和漏极电极并使第一绝缘膜暴露；构图暴露的第一绝缘膜并使氧化物半导体层的沟道区暴露；在含氧化气体的气氛中含氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜而增加沟道区的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 半导体 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基板上至少具有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体层、第一绝缘膜、源极电极、漏极电极和第二绝缘膜的薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成栅极电极；在栅极电极上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成包括非晶氧化物的半导体层；对栅绝缘膜进行构图；对氧化物半导体层进行构图；通过在不包括氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一绝缘膜来减小氧化物半导体层的电阻；对第一绝缘膜进行构图，并形成在源极电极和漏极电极与氧化物半导体层之间的接触孔；通过接触孔在氧化物半导体层中形成源极电极层和漏极电极层；通过对第一绝缘膜进行构图并使第一绝缘膜暴露来形成源极电极和漏极电极；对暴露的第一绝缘膜进行构图，并使氧化物半导体层的沟道区暴露；和通过在包括氧化气体的气氛中在包括氧化物半导体层的沟道区的表面上形成第二绝缘膜来增加沟道区的电阻。
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