[发明专利]使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种在基板上至少具有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体 层、第一绝缘膜、源极电极、漏极电极和第二绝缘膜的薄膜晶体管的 制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成栅极电极；

在栅极电极上形成栅绝缘膜；

在栅绝缘膜上形成包括非晶氧化物的半导体层；

对氧化物半导体层进行构图；

对栅绝缘膜进行构图；

通过在不包括氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一 绝缘膜来减小氧化物半导体层的电阻；

对第一绝缘膜进行构图，并形成在源极电极和漏极电极与氧化物 半导体层之间的接触孔；

通过接触孔在氧化物半导体层上形成源极电极层和漏极电极层；

通过对源极电极层和漏极电极层进行构图并使第一绝缘膜暴露 来形成源极电极和漏极电极；

对暴露的第一绝缘膜进行构图，并使氧化物半导体层的沟道区暴 露；和

通过在包括氧化气体的气氛中在包括氧化物半导体层的沟道区 的表面上形成第二绝缘膜来增加沟道区的电阻，

其中，所述第一绝缘膜为非晶氧化物绝缘体，以及

其中，所述第二绝缘膜为非晶氧化物绝缘体。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，作为 包括氧化气体的气氛，O₂/Ar混合气体被使用，其混合比为10体积％ 或更多。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述 非晶氧化物为包括In、Zn和Sn中的至少一个的非晶氧化物或者包括 In、Zn和Ga的非晶氧化物。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述 第二绝缘膜包含3.8×10¹⁹pcs/cm³或更多的脱附气体，其中通过程序升 温脱附分析将该脱附气体作为O₂⁺和O⁺进行观察。

5.一种在基板上至少具有栅极电极、栅绝缘膜、氧化物半导体 层、第一绝缘膜、源极电极、漏极电极和第二绝缘膜的薄膜晶体管的 制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成栅极电极；

在栅极电极上形成栅绝缘膜；

在栅绝缘膜上形成包括非晶氧化物的半导体层；

对氧化物半导体层进行构图；

对栅绝缘膜进行构图；

通过在不包括氧化气体的气氛中在氧化物半导体层上形成第一 绝缘膜来减小氧化物半导体层的电阻；

对第一绝缘膜进行构图，并使氧化物半导体层的沟道区暴露；

通过在包括氧化气体的气氛中在沟道区和第一绝缘膜上形成第 二绝缘膜来增加沟道区的电阻；

在层叠的第一绝缘膜和第二绝缘膜中形成在源极电极和漏极电 极与第一绝缘膜下方的氧化物半导体层的电阻减小的区域之间的接 触孔；

通过接触孔在氧化物半导体层的电阻减小的区域上形成源极电 极层和漏极电极层；和

对源极电极层和漏极电极层进行构图，

其中，所述第一绝缘膜为非晶氧化物绝缘体，以及

其中，所述第二绝缘膜为非晶氧化物绝缘体。