[发明专利]切断用加工方法有效
| 申请号： | 200880017270.6 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101681822A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志;下井英树;内山直己 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/40;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 切断 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种切断用加工方法，其特征在于，是用于沿着切断预定线将板状的加工对象物切断的对象物加工方法，包含：通过向所述加工对象物对准聚光点并照射激光，从而沿着所述切断预定线在所述加工对象物中形成改质区域的工序；在所述加工对象物中形成所述改质区域之后，通过利用对所述改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻材施以蚀刻处理，来蚀刻沿着所述切断预定线形成的所述改质区域的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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