[发明专利]切断用加工方法有效
| 申请号: | 200880017270.6 | 申请日: | 2008-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN101681822A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 坂本刚志;下井英树;内山直己 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/40;B23K101/40 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 切断 加工 方法 | ||
1.一种切断用加工方法,其特征在于,是用于沿着切断预定线将 板状的加工对象物切断的对象物加工方法,包含:
通过向所述加工对象物对准聚光点并照射激光,从而沿着所述切 断预定线在所述加工对象物中形成改质区域的工序;
在所述加工对象物中形成所述改质区域之后,通过利用对所述改 质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻材施以蚀刻处 理,来蚀刻沿着所述切断预定线形成的所述改质区域的工序,
在蚀刻所述改质区域的工序中,以不到达加工对象物中形成有设 备的一侧的设备面的方式,蚀刻所述加工对象物。
2.如权利要求1所述的切断用加工方法,其特征在于,
包含将所述加工对象物安装在保持所述加工对象物的保持装置上 的工序。
3.如权利要求2所述的切断用加工方法,其特征在于,
在对所述加工对象物施以所述蚀刻处理之后,通过扩张所述保持 装置,从而沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断。
4.如权利要求2所述的切断用加工方法,其特征在于,
在对所述加工对象物施以所述蚀刻处理之后,通过使所述保持装 置扩张,并且将断裂装置沿着所述切断预定线压接所述加工对象物, 从而沿着所述切断预定线将所述加工对象物切断。
5.如权利要求1~4中任一项所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述加工对象物的蚀刻后的切断面形成为规定的面形状的方 式,在所述加工对象物的规定的位置上形成改质区域。
6.如权利要求1~4中任一项所述的切断用加工方法,其特征在于,
以从所述改质区域起产生龟裂的方式,在所述加工对象物中形成 改质区域。
7.如权利要求5所述的切断用加工方法,其特征在于,
以从所述改质区域起产生龟裂的方式,在所述加工对象物中形成 改质区域。
8.如权利要求1~4中任一项所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂露出于所述加工 对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
9.如权利要求5所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂露出于所述加工 对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
10.如权利要求6所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂露出于所述加工 对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
11.如权利要求7所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂露出于所述加工 对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
12.如权利要求1~4中任一项所述的切断用加工方法,其特征在 于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂不露出于所述加 工对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
13.如权利要求5所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂不露出于所述加 工对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
14.如权利要求6所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂不露出于所述加 工对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
15.如权利要求7所述的切断用加工方法,其特征在于,
以使所述改质区域或从所述改质区域产生的龟裂不露出于所述加 工对象物的外表面的方式,在所述加工对象物中形成改质区域。
16.如权利要求1所述的切断用加工方法,其特征在于,
所述加工对象物的主面的结晶面为(111)面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





