[发明专利]用于半导体领域的新型金属前体

摘要

本发明公开了用于沉积金属膜的方法和组合物。概括而言，本发明公开的方法利用包含金、银或铜的前体化合物。更具体地，本发明公开的前体化合物利用与金属偶合的戊二烯基配体来提高热稳定性。此外，还公开了联合使用其它前体沉积金属膜的沉积铜、金或银的方法。所述方法和组合物可用于多种沉积法中。

主权项

1.在一个或多个基底上沉积金属膜的方法，包括：a)在反应室中提供一个或多个基底；b)将第一前体引入所述反应室中，其中所述第一前体包含具有下式的有机金属化合物：(Op)x(Cp)yM R’2-x-y其中M是第11族金属，Op是开链戊二烯基，Cp是环戊二烯基，R’选自由C1至C12烷基、三烷基甲硅烷基、烷基酰胺基、烷氧基、烷基甲硅烷基、烷基甲硅烷基酰胺基、脒基、CO、SMe2、SEt2、SiPr2、SiMeEt、SiMe(iPr)、SiEt(iPr)、OMe2、OEt2、四氢呋喃(THF)及其组合组成的组，其中Op和Cp可以各自包含选自由氢基、卤基、C1-C4烷基、烷基酰胺基、烷氧基、烷基甲硅烷基酰胺基、脒基、羰基及其组合组成的组的官能团，且其中x是0至1的整数，y是0至1的整数；和c)将所述第一前体蒸发，以在所述一个或多个基底上沉积金属膜。