[发明专利]用于半导体领域的新型金属前体

权利要求书

1.在一个或多个基底上沉积金属膜的方法，包括：

a)在反应室中提供一个或多个基底；

b)将第一前体引入所述反应室中，其中所述第一前体包含具有下式的 有机金属化合物：

(Op)_x(Cp)_yM R’_2-x-y

其中M是第11族金属，Op是开链戊二烯基，Cp是环戊二烯基，R’ 选自由C1至C12烷基、三烷基甲硅烷基、烷氧基、烷基甲硅烷基及其组 合组成的组，其中Op和Cp可以各自包含选自由氢基、C1-C4烷基及其 组合组成的组的官能团，且其中x是1，y是0；和

c)将所述第一前体蒸发，以在所述一个或多个基底上沉积金属膜。

2.根据权利要求1的方法，其中进一步将第二前体引入反应 室中。

3.根据权利要求2的方法，其中所述第二前体包含Mg、Ca、Zn、B、 Al、In、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、稀土金属、或其组合。

4.根据权利要求3的方法，其中所述第二前体的稀土金属包含镧族金 属。

5.根据权利要求2的方法，其中所述第二前体包含三甲硅烷基胺、硅 烷、二硅烷、三硅烷、双(叔丁基氨基)硅烷、双(二乙基氨基)硅烷、具有式 SiH_x(NR¹R²)_4-x的氨基硅烷、或它们的组合，在式SiH_x(NR¹R²)_4-x中，x是 0至4的整数，R¹和R²可以各自独立地为氢基或C1-C6烷基，且其中R¹和R²可以彼此相同或不同。

6.根据权利要求2的方法，其中所述第二前体是铝源。

7.根据权利要求6的方法，其中所述铝源包含三甲基铝、二甲基氢化 铝、具有式AlR¹_x(NR²R³)_3-x的化合物，在式AlR¹_x(NR²R³)_3-x中，x是0至 3的整数，R¹、R²和R³可以各自独立地为氢基或C1-C6烷基，且R¹、R²和R³可以各自彼此相同或不同。

8.根据权利要求2的方法，其中所述第二前体包含钽源或铌源。

9.根据权利要求8的方法，其中所述钽源或铌源包含一种或多种具有 下式的化合物：MCl₅和相应的加合物、M(NMe₂)₅、M(NEt₂)₅、 M(＝NR¹)(NR²R³)₃，其中R¹、R²和R³可以各自独立地为氢基或C1-C6烷 基，且其中R¹、R²和R³可以彼此相同或不同。

10.根据权利要求2的方法，其中将第一前体和第二前体同时引入反 应室中。

11.根据权利要求2的方法，其中将第一前体和第二前体先后引入反 应室中。

12.根据权利要求2的方法，其中将第一前体和第二前体引入反应室 中包括将第一金属前体和第二金属前体以脉冲加入反应室中。

13.根据权利要求1的方法，其中M是金、银或铜。