[发明专利]用于等离子工艺的硅片卡盘装置

摘要

一种用于等离子工艺的硅片卡盘装置，其包括下盘和上盘，在下盘上装载有多个硅片，上盘连接到下盘的上部并固定装载的硅片。上盘由特氟纶、陶瓷和金属中的一种制成，下盘由铝或陶瓷制成。下盘包括钻制的气体给送孔，通过该钻制的气体给送孔给送气体以在等离子工艺过程中均匀地保持每个硅片的温度。在硅片和下盘之间形成等温片和等温涂层中的一个或全部，以保持硅片的温度均匀性。因此，硅片卡盘装置可以在等离子工艺过程中改善每个硅片的边缘区域处的等离子刻蚀图形的均匀性。

主权项

1.一种用于等离子工艺的硅片卡盘装置，包括：下盘，在所述下盘上装载有多个硅片；以及上盘，连接到所述下盘的上部并固定所装载的硅片，其中，所述上盘具有矩形形状以挤压所述硅片，并且所述上盘沿其上边缘倒角以形成斜面，所述下盘包括底座，所述硅片被放置在所述底座中，所述下盘在其中心处包括气体给送孔以向所述底座给送气体，所述下盘的底座包括等温片和等温涂层的至少之一，所述等温片包括选自基于特氟纶的树脂、基于丙烯酸的树脂、和基于聚酰亚胺的树脂中的一种树脂并具有0.05mm至3mm的厚度，并且所述等温片在其一个表面上具有有机硅胶黏剂。