[发明专利]用于等离子工艺的硅片卡盘装置

权利要求书

1.一种用于等离子工艺的硅片卡盘装置，包括：

下盘，在所述下盘上装载有多个硅片；以及

上盘，连接到所述下盘的上部并固定所装载的硅片，

其中，所述上盘具有矩形形状以挤压所述硅片，并且所述上盘沿其上边缘倒角以形成斜面，

所述下盘包括底座，所述硅片被放置在所述底座中，所述下盘在其中心处包括气体给送孔以向所述底座给送气体，其中气体给送孔在硅片与底座之间给送气体，

所述下盘的底座包括等温片和等温涂层的至少之一，所述等温片或所述等温涂层的其中之一形成在所述底座的上表面和内侧壁上以及所述下盘的上部，

所述等温片包括选自基于特氟纶的树脂和基于丙烯酸的树脂中的一种树脂并具有0.05mm至3mm的厚度，并且所述等温片在其一个表面上具有有机硅胶黏剂以固定地附着到下盘的上表面。

2.根据权利要求1所述的硅片卡盘装置，其中，所述等温涂层包括选自基于丙烯酸的树脂和基于特氟纶的树脂中的一种树脂并具有0.02mm至5mm的厚度，所述基于特氟纶的树脂包括选自聚三氟氯乙烯、聚四氟乙烯、和全氟烷氧基中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的硅片卡盘装置，其中，所述上盘包括选自特氟纶、陶瓷和金属中的一种。

4.根据权利要求3所述的硅片卡盘装置，其中，所述金属包括选自不锈钢、镍合金、铜合金、钴合金、钨合金、以及Al 6000系列和Al 7000系列的铝合金中的一种。

5.根据权利要求3所述的硅片卡盘装置，其中，所述金属包括选 自蒙乃尔合金400、英科奈尔合金600、哈氏合金中的一种。

6.根据权利要求1或2所述的硅片卡盘装置，其中，所述下盘包括铝和陶瓷中的一种。

7.一种用于等离子工艺的硅片卡盘装置，包括：

下盘，在所述下盘上装载有多个硅片；以及

上盘，连接到所述下盘的上部并固定所装载的硅片，

其中，所述上盘包括第一上盘和第二上盘，所述第二上盘连接到所述下盘的上部并固定所述硅片，所述第一上盘与每个硅片隔开安全距离并且连接且固定到所述第二上盘的上部，

所述下盘包括底座，所述硅片被放置在所述底座中，并且所述下盘在其中心处包括气体给送孔以向所述底座给送气体。

8.根据权利要求7所述的硅片卡盘装置，其中，所述安全距离相对于每个硅片的外周处于1mm至12mm的范围。

9.根据权利要求7所述的硅片卡盘装置，其中，所述第一上盘和第二上盘具有选自0.02mm至5mm范围内的厚度并由金属合金和陶瓷中的一种制成。

10.根据权利要求9所述的硅片卡盘装置，其中，所述金属合金包括选自不锈钢、镍合金、铜合金、钴合金、钨合金、以及Al 6000系列和Al 7000系列铝合金中的一种。

11.根据权利要求9所述的硅片卡盘装置，其中，所述金属合金包括选自蒙乃尔合金400、英科奈尔合金600、哈氏合金中的一种。