[发明专利]具有减少的寄生电容的高k/金属栅极MOSFET有效
| 申请号： | 200880016037.6 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101681841A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 程慷果 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种高k栅极介质/金属栅极MOSFET，其具有减少的寄生电容。所述新颖结构包括至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)100，其位于半导体衬底12的表面上。所述至少一个MOSFET 100包括栅极叠层，其从底部至顶部包括高k栅极介质28及含金属的栅极导体30。所述含金属的栅极导体30具有栅极拐角31，其位于含金属的栅极导体的基段处。此外，除了在栅极拐角31处之外，含金属的栅极导体30的垂直侧壁102A及102B不具有高k栅极介质28。栅极介质18横向邻接位于栅极拐角31处的高k栅极介质28，而栅极间隔物36横向邻接含金属的栅极导体30。栅极间隔物36位于栅极介质18和栅极拐角31处的高k栅极介质两者的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 寄生 电容 金属 栅极 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：至少一个金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)100，其位于半导体衬底12的表面上，所述至少一个MOSFET包括栅极叠层，所述栅极叠层从底部至顶部包括高k栅极介质28和含金属栅极导体30，所述含金属栅极导体30具有栅极拐角31，所述栅极拐角31位于所述含金属栅极导体30的基段处，其中所述含金属栅极导体具有垂直侧壁102A、102B，除了在所述栅极拐角处之外所述垂直侧壁缺少所述高k栅极介质28；栅极介质18，其横向邻接存在于所述栅极拐角31处的所述高k栅极介质28；以及栅极间隔物36，其横向邻接所述含金属栅极导体30，且位于所述栅极介质18及存在于所述栅极拐角31处的所述高k栅极介质两者的上表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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