[发明专利]双轴取向聚芳硫醚膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200880015409.3 申请日: 2008-05-07
公开(公告)号: CN101678604A 公开(公告)日: 2010-03-24
发明(设计)人: 町田哲也;大仓正寿;今西康之 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: B29C55/12 分类号: B29C55/12;B29K81/00;C08J5/18;B29L7/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种断裂伸长率及平面性优异的仅由聚芳硫醚树脂形成的双轴取向膜。所述双轴取向聚芳硫醚膜的长度或宽度方向的断裂伸长率为110%以上,长度或宽度方向的断裂应力为200MPa以下,在260℃、10分钟条件下的长度及宽度方向的热收缩率为0%以上至10%以下。另外,提供一种双轴取向聚芳硫醚膜,其长度及宽度方向的平均断裂伸长率为110%以上,长度及宽度方向的平均断裂应力为200MPa以下,在260℃、10分钟条件下的长度及宽度方向的热收缩率为0%以上至10%以下。另外,本发明提供一种双轴取向聚芳硫醚膜的制造方法,是在长度及宽度方向以面积拉伸倍率为13倍以下进行拉伸,拉伸后的热定形分2步以上进行,每步的温度不同,第1步的热定形温度为160℃以上至220℃以下,第2步以后的热定形最高温度为240℃以上至280℃以下。
搜索关键词: 取向 聚芳硫醚膜 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种双轴取向聚芳硫醚膜,所述双轴取向聚芳硫醚膜是实质上仅由聚芳硫醚树脂(A)形成的双轴取向膜,膜的长度方向或宽度方向中任一方的断裂伸长率为110%以上,膜的长度方向或宽度方向中任一方的断裂应力为200MPa以下,在260℃、10分钟条件下的膜的长度方向及宽度方向的热收缩率均为0%以上至10%以下。
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