[发明专利]双轴取向聚芳硫醚膜及其制造方法

权利要求书

1.一种双轴取向聚芳硫醚膜，所述双轴取向聚芳硫醚膜是实质 上仅由聚芳硫醚树脂(A)形成的双轴取向膜，膜的长度方向或宽度 方向中任一方的断裂伸长率为110％以上，膜的长度方向或宽度方向 中任一方的断裂应力为200MPa以下，在260℃、10分钟条件下的膜 的长度方向及宽度方向的热收缩率均为0％以上至10％以下，在250 ℃、10分钟下的膜的长度方向及宽度方向的热收缩率均为0％以上 至10％以下。

2.一种双轴取向聚芳硫醚膜，所述双轴取向聚芳硫醚膜的膜长 度方向及宽度方向的平均断裂伸长率均为110％以上，膜的长度方向 及宽度方向的平均断裂应力均为200MPa以下，在260℃、10分钟条 件下的膜的长度方向及宽度方向的热收缩率均为0％以上至10％以 下，在250℃、10分钟下的膜的长度方向及宽度方向的热收缩率均 为0％以上至10％以下。

3.如权利要求2所述的双轴取向聚芳硫醚膜，其中，膜的长度 方向及宽度方向的断裂伸长率均为120％以上。

4.如权利要求1或2所述的双轴取向聚芳硫醚膜，其中，膜的 DSC中低于熔点且与熔点处的峰最接近的小吸热峰温度为250℃以 上。

5.如权利要求1或2所述的双轴取向聚芳硫醚膜，其中，在双 轴取向聚芳硫醚膜的至少一侧，具有由聚芳硫醚树脂(B)形成的层， 所述聚芳硫醚树脂(B)是由对芳硫醚之外的至少一种以上的间芳硫 醚共聚得到的。

6.如权利要求1或2所述的双轴取向聚芳硫醚膜，其中，聚芳 硫醚为聚苯硫醚。

7.一种双轴取向聚芳硫醚膜的制造方法，是权利要求1或2所 述的双轴取向聚芳硫醚膜的制造方法，所述制造方法在长度方向及 宽度方向拉伸使面积拉伸倍率为13倍以下，拉伸后的热定形以2步 以上的不同温度的工序进行，其中，其第1步的热定形工序的温度 为160℃以上至220℃以下，第2步以后进行的热定形工序的最高温 度为240℃以上至280℃以下。

8.如权利要求7所述的双轴取向聚芳硫醚膜的制造方法，其中， 厚度为50μm以上的双轴取向聚芳硫醚膜的240℃以上的热定形工序 及松弛处理工序的总时间为1秒以上至30秒以下。

9.如权利要求7所述的双轴取向聚芳硫醚膜的制造方法，其中， 厚度小于50μm的双轴取向聚芳硫醚膜的240℃以上的热定形工序及 松弛处理工序的总时间为1秒以上至15秒以下。