[发明专利]SOI衬底及其制造方法和半导体器件

摘要

提供半导体衬底的制造方法，其中接合强度甚至在使用具有低耐热温度的衬底、如玻璃衬底时也可提高。在包含卤素的氧化气氛中在高于或等于支承衬底的应变点的温度进行热处理，使得半导体衬底的表面覆盖有绝缘膜。分离层在半导体衬底中形成。提供阻挡层。然后，热处理在以下状态中进行：在低于或等于支承衬底的温度，将半导体衬底和支承衬底重叠，其中氧化硅膜介于其间，使得半导体衬底的一部分在分离层被分离。这样，在支承衬底上形成单晶半导体层。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在包含卤素的氧化气氛中对半导体衬底进行热处理，以在所述半导体衬底上形成氧化膜；采用离子来照射所述氧化膜，以在所述半导体衬底中形成分离层；在所述氧化膜之上形成阻挡层；在所述阻挡层之上形成接合层；将所述半导体衬底和具有绝缘表面的衬底重叠，其中所述氧化膜、所述阻挡层和所述接合层介于其间；以及在所述分离层中进行分离，以使得所述半导体衬底的一部分留在具有所述绝缘表面的衬底之上。