[发明专利]SOI衬底及其制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在高于或等于具有绝缘表面的支承衬底的应变点的温度、在包含 卤素的氧化气氛中对半导体衬底进行热处理，以在所述半导体衬底上 形成氧化膜；

采用离子来照射所述氧化膜，以在所述半导体衬底中形成分离 层；

在等于或低于所述具有绝缘表面的支承衬底的应变点的温度、在 所述氧化膜之上形成阻挡层；

在所述阻挡层之上形成接合层；

将所述半导体衬底和所述具有绝缘表面的支承衬底重叠，其中所 述氧化膜、所述阻挡层和所述接合层介于其间；以及

在所述分离层中进行分离，以使得所述半导体衬底的一部分留在 所述具有绝缘表面的支承衬底之上。

2.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述半导体衬底是单晶半导体衬底或多晶半导体衬底。

3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述分离层具有多孔结构。

4.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述包含卤素的氧化气氛是其中将HCl加入氧中的气氛。

5.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述包含卤素的氧化气氛是其中将从HF、NF₃、Hbr、Cl₂、ClF₃、BCl₃、 F₂和Br₂中选取的一种或多种气体加入氧中的气氛。

6.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述阻挡层是由从氮化硅膜、氧化氮化硅膜和氧氮化硅膜选取的组所形 成的单层或堆叠层。

7.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述接合层包括氧化硅。

8.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述接合层由TEOS形成。

9.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在高于或等于具有绝缘表面的支承衬底的应变点的温度、在包含 卤素的氧化气氛中对半导体衬底进行热处理，以在所述半导体衬底上 形成氧化膜；

采用离子来照射所述氧化膜，以在所述半导体衬底中形成分离 层；

在等于或低于所述具有绝缘表面的支承衬底的应变点的温度、在 所述具有绝缘表面的支承衬底之上形成接合层；

在形成所述接合层之后，在所述接合层之上形成阻挡层；

将所述半导体衬底和所述具有绝缘表面的支承衬底重叠，其中所 述氧化膜、所述阻挡层和所述接合层介于其间；以及

在所述分离层中进行分离，以通过热处理而使得所述半导体衬底 的一部分留在所述具有绝缘表面的衬底之上。

10.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述半导体衬底是单晶半导体衬底或多晶半导体衬底。

11.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述分离层具有多孔结构。

12.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述包含卤素的氧化气氛是其中将HCl加入氧中的气氛。

13.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述包含卤素的氧化气氛是其中将从HF、NF₃、Hbr、Cl₂、ClF₃、BCl₃、 F₂和Br₂中选取的一种或多种气体加入氧中的气氛。

14.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述阻挡层是由从氮化硅膜、氧化氮化硅膜和氧氮化硅膜选取的组所形 成的单层或堆叠层。

15.如权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所 述接合层包括氧化硅。