[发明专利]制造太阳能电池可用的氮化硅钝化层的方法无效
| 申请号： | 200880013207.5 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101970133A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 周立嵩;桑吉塔·迪克西特;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/12 | 分类号： | B05D5/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成的氮化硅层具有合适的折射率、质量密度和氢浓度，故可作为太阳能电池基板的ARC/钝化层。沉积期间添加氢气稀释剂至传统前驱物混合气体中，可形成氮化硅层于太阳能电池基板上。或者，使用主要由硅烷和氮气组成的前驱物混合气体，也可形成氮化硅层于太阳能电池基板上。为提高沉积室产量，氮化硅层为包括低氢界面层和厚氮化硅体层的双堆栈膜。将多个太阳能电池基板放到基板承载器上及将基板承载器传送到沉积室内可进一步提高沉积室产量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 可用 氮化 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种形成氮化硅层于太阳能电池基板上的方法，包含：放置至少一太阳能电池基板到处理腔室中；流入工艺混合气体至所述处理腔室内；以及在所述处理腔室中产生等离子体来沉积第一含氮化硅层于所述基板上，其中所述工艺混合气体包括前驱物混合气体和氢气(H2)稀释剂，所述氢气稀释剂的流速基本上等于或大于所述前驱物混合气体的流速。
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