[发明专利]制造太阳能电池可用的氮化硅钝化层的方法

权利要求书

1.一种形成氮化硅层于太阳能电池基板上的方法，包含：

放置至少一太阳能电池基板到处理腔室中；

流入工艺混合气体至所述处理腔室内；以及

在所述处理腔室中产生等离子体来沉积第一含氮化硅层于所述基板上，

其中所述工艺混合气体包括前驱物混合气体和氢气(H₂)稀释剂，所述氢气稀释剂的流速基本上等于或大于所述前驱物混合气体的流速。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述前驱物混合气体选自由以下混合气体所构成的群组中：硅烷(SiH₄)与氮气(N₂)组成的混合气体，硅烷、氮气与氨气(NH₃)组成的混合气体，和硅烷与氨气组成的混合气体。

3.如权利要求1所述的方法，其中放置太阳能电池基板到处理腔室中的步骤包含：放置所述至少一基板到第一电极与第二电极之间，且所述第一电极与所述第二电极基本上互相平行设置。

4.如权利要求1所述的方法，其中产生所述等离子体的步骤还包含以频率为1～30MHz的射频能量激发所述工艺气体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述含氮化硅膜含有少于约15原子％的氢(H)。

6.如权利要求5项所述的方法，还包含流入第二工艺混合气体至所述处理腔室内，以沉积第二含氮化硅层于所述第一含氮化硅层上，其中所述第二工艺混合气体选自由以下混合气体所构成的群组中：由硅烷(SiH₄)与氮气(N₂)组成的混合气体，由硅烷、氮气与氨气(NH₃)组成的混合气体，和由硅烷与氨气组成的混合气体。

7.如权利要求6所述的方法，其中在所述处理腔室中产生所述等离子体来沉积第一含氮化硅层的步骤包含在所述处理腔室中产生等离子体，以沉积厚度为约10～20纳米(nm)的第一含氮化硅层。

8.如权利要求1所述的方法，其中放置至少一太阳能电池基板到处理腔室中的步骤包含：

放置多个太阳能电池基板到基板承载器上；以及

传送所述基板承载器到所述处理腔室内。

9.一种形成氮化硅层于太阳能电池基板上的方法，包含：

放置至少一太阳能电池基板到处理腔室中；

流入工艺混合气体至所述处理腔室内；以及

在所述处理腔室中产生等离子体来沉积第一含氮化硅层于所述基板上，

其中所述工艺混合气体主要由硅烷(SiH₄)和氮气(N₂)组成。

10.如权利要求9所述的方法，其中放置太阳能电池基板到处理腔室中的步骤包含放置所述至少一基板到第一电极与第二电极之间，且所述第一电极与所述第二电极基本上互相平行设置。

11.如权利要求9所述的方法，其中产生所述等离子体的步骤还包含以频率为1～30MHz的射频能量激发所述工艺混合气体。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述含氮化硅膜含有少于约15原子％的氢(H)。

13.如权利要求12所述的方法，还包含流入第二工艺混合气体至所述处理腔室内，以沉积第二含氮化硅层于所述第一含氮化硅层上，其中所述第二工艺混合气体选自由以下混合气体所构成的群组中：由硅烷(SiH₄)与氮气(N₂)组成的混合气体，由硅烷、氮气与氨气(NH₃)组成的混合气体、和由硅烷与氨气组成的混合气体。

14.如权利要求9所述的方法，其中放置至少一太阳能电池基板到处理腔室中的步骤包含：

放置多个太阳能电池基板到基板承载器上；以及

传送所述基板承载器到所述处理腔室内。

15.一种形成氮化硅层于太阳能电池基板上的方法，包含：

放置至少一太阳能电池基板到处理腔室的第一电极与第二电极之间，且所述第一电极与所述第二电极基本上互相平行设置；

流入主要由硅烷(SiH₄)与氮气(N₂)所组成的工艺混合气体至所述处理腔室内；以及

在所述处理腔室中产生等离子体来沉积第一含氮化硅层于所述基板上。