[发明专利]具有刻蚀终止层的微机电系统(MEMS)器件有效
| 申请号： | 200880012714.7 | 申请日： | 2008-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101669192A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 石井房雄 | 申请（专利权）人： | 石井房雄 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 刻蚀 终止 微机 系统 mems 器件 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，包括：一个衬底；上述衬底上的一个电路；至少一个与上述电路相连的电极；至少一个由上述电极控制的机械可动单元；一层上述电极和上述电路之间的平面保护层；其中上述保护层至少有一个穿通-孔，其中充满实现上述电极和上述电路电互连的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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