[发明专利]具有刻蚀终止层的微机电系统(MEMS)器件有效
申请号: | 200880012714.7 | 申请日: | 2008-05-12 |
公开(公告)号: | CN101669192A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 石井房雄 | 申请(专利权)人: | 石井房雄 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 孙 刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 刻蚀 终止 微机 系统 mems 器件 | ||
1.一种MEMS器件,包括:
一个衬底;
上述衬底上的一个电路;
至少一个与上述电路相连的电极;
至少一个由上述电极控制的机械可动单元;
一层上述电极和上述电路之间的平面保护层;
其中上述保护层至少有一个穿通-孔,其中充满实现上述电极和上述电路电 互连的通孔;
上述保护层为半导体材料,该保护层掺杂并形成被施加到上述电极的电压反 向偏置的PN结以阻止从上述电极流出电流。
2.权利要求1所述MEMS器件,其中:
上述MEMS器件为具有一个竖直铰链的微镜。
3.权利要求2所述MEMS器件,其中:
上述竖直铰链通过一组桩、支柱和墙与上述反光可动单元相连。
4.权利要求1所述MEMS器件,其中:
上述保护层的半导体材料选自包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的材 料组中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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