[发明专利]成膜装置无效
| 申请号: | 200880011821.8 | 申请日: | 2008-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN101657565A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
| 发明(设计)人: | 畠中正信;入野修;石川道夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/205;H01L21/285 |
| 代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人: | 齐永红 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种使用两种以上的气体进行均匀成膜的成膜装置。在配置有成膜室(5)及喷头(1)的成膜装置中,前述喷头具有原料气体扩散室及反应气体扩散室,连接前述原料气体扩散室(135)和原料气体导入管(133)的气体通道(134)由1段以上的多段构成,各段拥有可用2n-1(n为段数)表示的气体通道,第1段气体通道在其中心部位与前述原料气体导入管连接,第2段以后的各气体通道通过在其中心部位与设置在前一段气体通道两端的连接孔连接,与前一段气体通道连通,最后段的各气体通道通过与其各气体通道两端上形成的连接孔与原料气体扩散室(135)连接。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
1、一种成膜装置,是配置了成膜室和喷头部的成膜装置,其特征在于:前述喷头部配置有原料气体扩散室和反应气体扩散室;连接前述原料气体扩散室和原料气体导入管的气体通道由1段以上的多段构成,各段拥有可用2n-1(n为段数)表示的通道,第1段气体通道与前述原料气体导入管连接,第2段以后的各气体通道与前一段气体通道连通,最后段的气体通道与原料气体扩散室连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





