[发明专利]成膜装置

权利要求书

1、一种成膜装置，是配置了成膜室和喷头部的成膜装置，其特征在于：前述喷 头部配置有原料气体扩散室和反应气体扩散室；连接前述原料气体扩散室和原料气体 导入管的气体通道由1段以上的多段构成，各段拥有可用2^n-1(n为段数)表示的通 道，第1段气体通道与前述原料气体导入管连接，第2段以后的各气体通道与前一段 气体通道连通，最后段的气体通道与原料气体扩散室连接。

2、根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：前述第1段气体通道在其中 心部位与前述原料气体导入管连接，前述第2段以后的各气体通道，通过其中心与设 置在前一段气体通道两端的连接孔连接，与前一段气体通道连通，前述最后一段的各 气体通道通过其在各气体通道两端上形成的连接孔与原料气体扩散室连接。

3、根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于：前述原料气体扩散室可配 置在反应气体扩散室的底部，原料气体导入管可设置在反应气体扩散室的壁上，各段 上形成的前述各气体通道呈圆弧形。

4、根据权利要求1～3任一项所述的成膜装置，其特征在于：前述气体通道采用2 段结构，第1段的气体通道在其中央部位与前述原料气体导入管连接，第2段的各气 体通道，通过在其中央部位与第1段气体通道两端设置的连接孔连接，与第1段气体 通道连通，并通过其各气体通道两端形成的连接孔与四方形的原料气体扩散室的四个 拐角连接。

5、根据权利要求1～4任一项所述的成膜装置，配置有等离子生成手段，其由具 有间隔设置在导入反应气体的非金属管外周上部及下部的导体的同轴谐振腔和微波 提供电路构成；其特征在于：前述同轴谐振腔内部的高度为激励波长的1/2的整数倍， 从非金属管的一端注入的气体在前述非金属管的未设置前述道体的区域内被微波激 活，以等离子化的形态从另一端释放出，具有以上构成的等离子生成手段配置在前述 喷头部的上游一侧，将被该等离子生成手段等离子化的气体导入前述反应气体扩散 室。

6、根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于：在前述同轴谐振腔上设置冷 却手段，将冷却气体导入谐振腔内部冷却非金属管的未设置导体的区域。

7、根据权利要求5或6所述的成膜装置，其特征在于：前述非金属管的侧壁为 双层，并配置使冷却用流体在该侧壁间循环的流体循环手段。

8、根据权利要求1～4任一项所述的成膜装置，其特征在于：将配置有反应气体 导入管、金属线、金属线加热手段的触媒室配置在前述喷头部的上游部位，从反应气 体导入管导入的气体即可被加热的金属线激活，再将该被激活的气体导入前述反应气 体扩散室。