[发明专利]自旋转移力矩磁阻随机存取存储器及设计方法有效
| 申请号： | 200880010834.3 | 申请日： | 2008-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101657859A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 金圣克;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康;尹夏升 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于针对自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的既定字线晶体管确定读取及写入电压的系统、电路及方法。可向写入操作供应第一电压，使得所述写入操作发生在所述字线晶体管的饱和区(454)中。可为读取操作供应小于所述第一电压的第二电压，使得所述读取操作发生在所述字线晶体管的线性区(452)中。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 转移 力矩 磁阻 随机存取存储器 设计 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于设计自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的方法，其包括：获得存取晶体管的特性曲线；确定磁性隧道结(MTJ)存储元件的对应于所述存储器的第一及第二状态的状态0电阻及状态1电阻；确定写入电压，使得第一状态及第二状态写入操作两者的操作点与饱和区中的所述特性曲线相交；及确定读取电压，使得所述第一状态及第二状态读取操作两者的所述操作点与线性区中的所述特性曲线相交。
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