[发明专利]使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置无效
| 申请号： | 200880010346.2 | 申请日： | 2008-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101652836A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 原正道;波多野达夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52;C23C16/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供使用羰基原料的金属膜的成膜方法、多层配线构造的形成方法、半导体装置的制造方法、成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：第一工序，将金属元素的羰基原料以气相分子的形态与抑制上述气相分子的分解的气相成分一起供给至被处理基板表面，其中，将上述气相成分的分压设定为抑制上述羰基气相原料分子的分解的第一分压；和第二工序，使上述气相成分的分压在上述被处理基板表面变化为产生上述羰基原料的分解的第二分压，使上述金属元素沉积在上述被处理基板表面。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 羰基 原料 金属膜 方法 多层 构造 形成 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属膜的成膜方法，其特征在于，包括：第一工序，将金属元素的羰基原料以气相分子的形态与抑制所述气相分子的分解的气相成分一起供给至被处理基板表面，其中，将所述气相成分的分压设定为抑制所述气相分子的分解的第一分压；和第二工序，使所述气相成分的分压在所述被处理基板表面变化为产生所述羰基原料的分解的第二分压，使所述金属元素沉积在所述被处理基板表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880010346.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：豆浆机热保护器安装结构
- 下一篇：一种高压输电线路除冰装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
