[发明专利]高压GaN基异质结晶体管的终止结构和接触结构有效
| 申请号： | 200880009134.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101689561A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·墨菲;米兰·波普赫里斯蒂奇 | 申请（专利权）人： | 威洛克斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一有源层，所述第一有源层设置在所述衬底的上方；以及第二有源层，所述第二有源层设置在所述第一有源层上。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间产生二维电子气层。在所述第二有源层上设置的终止层包括InGaN。在所述终止层上设置源极接触、栅极接触和漏极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 gan 基异质 结晶体 终止 结构 接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底的上方的第一有源层；设置在所述第一有源层上的第二有源层，所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙以使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间产生二维电子气层；设置在所述第二有源层上的终止层，所述终止层包含InGaN；以及设置在所述终止层上的源极接触、栅极接触和漏极接触。
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