[发明专利]高压GaN基异质结晶体管的终止结构和接触结构有效
| 申请号： | 200880009134.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101689561A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·墨菲;米兰·波普赫里斯蒂奇 | 申请（专利权）人： | 威洛克斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 gan 基异质 结晶体 终止 结构 接触 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底的上方的第一有源层；
设置在所述第一有源层上的第二有源层，所述第二有源层具有比 所述第一有源层高的带隙以使得在所述第一有源层和所述第二有源层 之间产生二维电子气层；
设置在所述第二有源层上的终止层，所述终止层选自由氧化铝、 氧化镓、氧化铟和FeN组成的组；以及
设置在所述终止层上的源极接触、栅极接触和漏极接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源层包 含III族氮化物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一有源层包 含GaN。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二有源层包 含III族氮化物半导体材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二有源层包 含AlxGa1-xN，其中0＜X＜1。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二有源层选 自由AlGaN、AlInN和AlInGaN组成的组。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述衬底和 所述第一有源层之间的成核层。
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