[发明专利]利用MOCVD或者HVPE选择性沉积结晶层的设备和方法无效
| 申请号： | 200880007828.2 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101631901A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 约翰尼斯·卡普勒;迪特玛·施米茨 | 申请（专利权）人： | 艾克斯特朗股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B29/40;C30B29/48;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉 |
| 地址： | 德国黑*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在一个或者多个衬底特别是结晶衬底(6)上沉积一个或者多个层特别是结晶层的设备，所述衬底(6)位于反应器(1)的工艺室(2)中的基座(3)上。可被工艺室加热装置(11)主动加热的工艺室壁(4)位于可被基座加热装置(11)主动加热的基座(3)对面。所述设备设置有用于将工艺气体引入到所述工艺室中的气体入口元件(7)并且所述工艺室加热装置(11)具有冷却剂通道(13)并且在所述工艺室壁(4)的主动加热期间位于离所述工艺室壁(4)的外部(18)一段距离处。为此，可选择性地对所述工艺室壁(4)进行主动加热和主动冷却，所述冷却剂通道(13)充当所述工艺室壁的冷却装置(12)。可通过特别设计为提升装置的位移装置将所述工艺室壁的冷却装置(12)和所述壁(4)之间的距离从一段距离的加热位置改变为冷却位置。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 mocvd 或者 hvpe 选择性 沉积 结晶 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.用于在设置在反应器(1)的工艺室(2)中基座(3)上的一个或者多个衬底(6)特别是结晶衬底上沉积一个或者多个层尤其是结晶层的设备，其中可被工艺室加热装置(11)主动加热的工艺室壁(4)位于可被基座加热装置(11)主动加热的基座(3)对面，并且提供气体入口元件(7)以将工艺气体引入到所述工艺室中，所述工艺室加热装置(11)具有冷却剂通道(13)并且在对所述工艺室壁(4)的主动加热期间位于离所述工艺室壁(4)外部(18)一段距离处，所述设备特征在于，能够根据选择对所述工艺室壁(4)进行主动加热和主动冷却，为此所述冷却剂通道(13)形成工艺室壁冷却装置(12)，所述工艺室壁冷却装置(12)和所述工艺室壁(4)之间的距离能通过位移装置尤其是提升装置形式的位移装置从隔开的加热位置变化为冷却位置。
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