[发明专利]利用MOCVD或者HVPE选择性沉积结晶层的设备和方法

权利要求书

1.用于在设置在反应器(1)的工艺室(2)中基座(3)上的一个或者多个衬底(6)特别是结晶衬底上沉积一个或者多个层尤其是结晶层的设备，其中可被工艺室加热装置(11)主动加热的工艺室壁(4)位于可被基座加热装置(11)主动加热的基座(3)对面，并且提供气体入口元件(7)以将工艺气体引入到所述工艺室中，所述工艺室加热装置(11)具有冷却剂通道(13)并且在对所述工艺室壁(4)的主动加热期间位于离所述工艺室壁(4)外部(18)一段距离处，所述设备特征在于，能够根据选择对所述工艺室壁(4)进行主动加热和主动冷却，为此所述冷却剂通道(13)形成工艺室壁冷却装置(12)，所述工艺室壁冷却装置(12)和所述工艺室壁(4)之间的距离能通过位移装置尤其是提升装置形式的位移装置从隔开的加热位置变化为冷却位置。

2.根据权利要求1或者特别是根据其的设备，其特征在于，冷却位置处所述工艺室壁冷却装置(12)和所述工艺室壁(4)之间的距离为0或者几乎为0，使得所述冷却剂通道的外部(17)与所述工艺室壁(4)的外部(18)表面区域接触。

3.根据前述权利要求之一或多个或者特别是根据其的设备，其特征在于，所述工艺室壁加热装置(12)为加热-冷却线圈。

4.根据前述权利要求之一或多个或者特别是根据其的设备，其特征在于，所述位移装置使所述工艺室壁(4)相对于所述加热冷却线圈(12)位移或者使所述加热-冷却线圈(12)相对于所述工艺室壁(4)位移。

5.根据前述权利要求之一或多个或者特别是根据其的设备，其特征在于，能够朝向所述加热-冷却线圈(12)位移的工艺室壁(4)为工艺室顶面，并且所述提升装置为承载所述顶面的顶面承载体(16)。

6.根据前述权利要求之一或多个或者特别是根据其的设备，其特征在于，弹簧元件(22)作用在所述加热-冷却线圈(12)上用于在所述工艺室壁(4)的方向上有弹性地推动加热-冷却线圈(12)的各圈以维持所述加热-冷却线圈(12)的下侧(17)与所述工艺室壁(4)的上侧(18)的表面接触。

7.根据前述权利要求之一或多个或者特别是根据其的设备，其特征在于，所述衬底(6)设置在能旋转地与所述基座(3)结合的衬底支座(5)上。

8.用于在设置在反应器(1)的工艺室(2)中基座(3)上的一个或者多个衬底(6)特别是结晶衬底上沉积一个或者多个层尤其是结晶层的设备，其中可被工艺室加热装置(11)主动加热的工艺室壁(4)位于可被基座加热装置(11)主动加热的基座(3)对面，并且提供气体入口元件(7)以将工艺气体引入到所述工艺室中，所述设备特征在于设置在所述工艺室壁(4)中并且作为冷却剂的液体金属流过的冷却剂通道(14)，所述液体金属具有高于最高工艺室壁温度的蒸发温度。

9.用于在设置在反应器(1)的工艺室(2)中基座(3)上的一个或者多个衬底(6)特别是结晶衬底上沉积一个或者多个层尤其是结晶层的方法，其中，所述基座(3)被主动地加热至超过1000℃的基座温度，并且，为了通过HVPE方法沉积所述层，将位于所述基座(3)对面的工艺室壁(4)主动加热至在比所述基座温度高或者低+/-200℃范围内的工艺室壁温度，将至少包括氢化物和金属卤化物的工艺气体通过气体入口元件(7)引入到所述工艺室(2)中，并且在通过HVPE方法沉积所述层之前或者之后的时间通过MOCVD方法在相同工艺室中沉积另一层，所述工艺气体至少包括氢化物和有机金属化合物，所述方法特征在于：当实施MOCVD方法时，将所述工艺室壁(4)冷却至低于所述基座温度超过200℃的工艺室壁温度，为此通过提升装置将具有冷却剂通道(13)并且在对所述工艺室壁(4)的主动加热期间位于离所述工艺室壁(4)外部(18)一段距离的工艺室加热装置(11)从隔开的加热位置降低至冷却位置，或者具有高于最高工艺室壁温度的蒸发温度的液体金属流过设置在所述工艺室壁(4)中的冷却剂通道(14)。

10.根据权利要求9或者特别是根据其的方法，其特征在于，所述工艺气体至少包括：第二或者第三主族的元素，和第五或第六主族的元素。