[发明专利]源/漏应力器及其方法有效
| 申请号： | 200880006470.1 | 申请日： | 2008-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101622713A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 张达;布赖恩·A·温斯特德 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种形成半导体器件(10)的方法。该方法包括形成覆盖在衬底(12)上的栅极结构(22)。该方法进一步包括形成邻近栅极结构(22)的侧壁间隔物(24)。该方法进一步包括在半导体器件(10)的源极侧的方向上执行成角注入(26)。该方法进一步包括对半导体器件(10)退火。该方法进一步包括在衬底中邻近侧壁间隔物(24)的相对端处形成凹部(32，34)，以暴露第一类型的半导体材料(16)。该方法进一步包括在凹部中外延生长第二类型的半导体材料(36，38)，其中第二类型的半导体材料具有与第一类型的半导体材料的晶格常数不同的晶格常数，以在半导体器件(10)的沟道区中造成应力。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：形成覆盖在衬底上的栅极结构；形成邻近于所述栅极结构的侧壁间隔物；在所述半导体器件的源极侧的方向执行成角注入；对所述半导体器件退火；在衬底中邻近所述侧壁间隔物相对端处形成凹部，以暴露第一类型的半导体材料；以及在所述凹部中外延生长第二类型的半导体材料，其中，第二类型的半导体材料具有与第一类型的半导体材料的晶格常数不同的自然晶格常数，以在所述半导体器件的沟道区中造成应力。
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