[发明专利]切割/芯片接合薄膜有效
| 申请号： | 200880005676.2 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101617390A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 天野康弘;三隅贞仁;松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J11/04;C09J133/00;C09J161/00;C09J163/00;H01L21/52;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供切割工序时的胶粘性及拾取工序时的剥离性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。本发明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，并且所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
