[发明专利]切割/芯片接合薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及切割/芯片接合薄膜(dicing/die bonding film)及其制 造方法，更具体而言，涉及半导体装置制造中使用的切割/芯片接合薄 膜及其制造方法。

背景技术

为了应对半导体装置微细化、高功能化的要求，半导体芯片(半 导体元件)主面的整个区域上设置的电源线的布线宽度和信号线间的 间隔逐渐变窄。因此，产生阻抗的增加和异种节点的信号线间的信号 干涉，在半导体芯片的工作速度、工作电压裕度、耐静电破坏强度等 方面，成为阻碍发挥充分性能的因素。为了解决这些问题，提出了将 半导体元件层压的封装结构(例如，参照下述专利文献1和专利文献2)。

另一方面，作为在衬底等上固定半导体元件时使用的材料，提出 了使用热固性树脂浆的例子(例如，参照下述专利文献3)、和使用将 热塑性树脂和热固性树脂组合使用的胶粘片的例子(例如，参照下述 专利文献4和专利文献5)。

另外，以往的半导体装置制造方法中，在将半导体元件与衬底、 引线框或半导体元件粘合时，使用胶粘片或胶粘剂。粘合是在将半导 体元件与衬底等压接后(芯片粘接)，通过加热工序使胶粘片等固化 而进行。

在此，压接于衬底等上的半导体元件，为了与该衬底等电连接而 进行丝焊工序。然后，用密封树脂将半导体元件等塑封，后固化后进 行该密封树脂的密封(例如，参照下述专利文献4和专利文献5)。进 行所述丝焊时，衬底等上的半导体元件由于超声波振动或加热而移动。

因此，目前，需要在丝焊前进行加热工序，使热固性树脂浆或热 固性胶粘片加热固化，固定半导体元件使其不移动。

另外，对于由热塑性树脂构成的胶粘片或组合使用热固性树脂和 热塑性树脂的胶粘片，为了确保与被粘物的粘合力及提高润湿性，在 芯片粘接后、丝焊前需要进行加热工序。

专利文献1：日本特开昭55-111151号公报

专利文献2：日本特开2002-261233号公报

专利文献3：日本特开2002-179769号公报

专利文献4：日本特开2000-104040号公报

专利文献5：日本特开2002-261233号公报

发明内容

但是，随着半导体晶片的大型化和薄型化，以往的切割/芯片接合 薄膜难以同时满足切割时需要的高胶粘性和拾取时需要的剥离性，因 而难以从切割带上剥离带胶粘剂的半导体芯片。结果，存在拾取不良 或由芯片变形导致破损的问题。

另外，依据切割/芯片接合薄膜的种类，有时具有紫外线固化型切 割带。该紫外线固化型切割带的情况下，有时与粘合剂层中未固化的 树脂反应而使粘合力随时间的推移而增大。此时，难以从切割带上拾 取带胶粘剂的半导体芯片，无法剥离除去而废弃。结果，生产成本增 大，导致成品率下降。

本发明鉴于以上问题而进行，其目的在于提供切割工序时的胶粘 性和拾取工序时的剥离性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方 法。

为了解决上述现有问题，本发明人对切割/芯片接合薄膜及其制造 方法进行了研究，结果发现，通过控制粘合剂层与芯片接合层之间的 胶粘面积，能够使切割工序时的胶粘性和拾取工序时的剥离性均良好， 并且完成了本发明。

即，本发明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且 在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘 合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层 中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，并且所 述X与Y之差的绝对值为0.015以上。

通过所述结构，使粘合剂层与芯片接合层的胶粘面不是完全密合， 而是形成两者胶粘的区域和两者不胶粘的区域。结果，防止胶粘面积 过小、粘合剂层与芯片接合层之间的胶粘性下降。另一方面，也防止 胶粘面积过大、粘合剂层与芯片接合层的剥离性下降。由此，例如在 将半导体晶片胶粘到芯片接合层上、并对其进行切割而形成半导体芯 片时，粘合剂层与芯片接合层之间的胶粘性也充分，因此能够防止所 谓的芯片飞离的发生。另外，在拾取通过切割形成的带芯片接合层的 半导体芯片时，也确保粘合剂层与芯片接合层之间的剥离性，因此能 够容易地将该带芯片接合层的半导体芯片从粘合剂层上剥离。