[发明专利]在基底上形成钌基薄膜的方法

摘要

在半导体制造过程中在基底上形成薄膜的方法。提供反应室和反应室中的基底。提供钌基前体，该前体包括溶于至少两种不燃性氟化溶剂混合物中的四氧化钌，并在基底上制备含钌薄膜。

主权项

1.在半导体制造过程中在基底上形成薄膜方法，包括：a)提供反应室和包含在该反应室内的基底；b)提供钌基前体，其中该前体包含：1)至少两种不燃性氟化溶剂的混合物，各种溶剂具有通式CxHyFzOtNu，其中：i)x≥3；ii)y+z≤2x+2；iii)z≥1；iv)t≥0v)u≥0；并且vi)t+u≥0其中x、y、z、t和u都是整数。2)溶于所述溶剂混合物中的四氧化钌；以及3)小于100ppm的水分；并且c)在基底上沉积含钌薄膜。