[发明专利]在基底上形成钌基薄膜的方法

权利要求书

1.在半导体制造过程中在基底上形成薄膜方法，包括：

a)提供反应室和包含在该反应室内的基底；

b)提供钌基前体，其中该前体包含：

1)甲基九氟丁基醚和乙基九氟丁基醚的混合物；

2)溶于所述溶剂混合物中的四氧化钌；以及

3)小于100ppm的水分；并且

c)在基底上沉积含钌薄膜。

2.权利要求1的方法，其中所述甲基九氟丁基醚和乙基九氟丁基醚的 混合物包含：

a)10体积％至90体积％的甲基九氟丁基醚；和

b)10体积％至90体积％的乙基九氟丁基醚。

3.权利要求2的方法，其中所述甲基九氟丁基醚和乙基九氟丁基醚的 混合物包含：

a)30体积％的甲基九氟丁基醚；和

b)70体积％的乙基九氟丁基醚。

4.权利要求1的方法，其中所述前体包含小于1ppm的水分。

5.权利要求1的方法，其中所述前体进一步包含小于1ppm的未结合 的氧。

6.权利要求1的方法，其中反应室中的压力保持在0.01托至1000托 之间。

7.权利要求1的方法，其中在50℃至800℃的基底温度下进行所述薄 膜沉积步骤。

8.权利要求7的方法，其中在100℃至600℃的基底温度下进行薄膜 沉积步骤。

9.权利要求1的方法，进一步包括向反应室中引入气态还原剂，并至 少部分地通过使前体与该气态还原剂反应而在基底上沉积含钌薄膜。

10.权利要求9的方法，其中所述还原剂是氢。

11.权利要求1的方法，其中如下所述形成钌酸盐膜：向包含基底的 反应室中引入气态钌基前体和气态有机金属化合物，并使该前体和有机金 属化合物在氧化气体的存在下反应，从而使钌酸盐沉积在基底表面上。

12.权利要求11的方法，其中所述氧化气体是氧、臭氧或N₂O。

13.权利要求9的方法，进一步包括向反应室中同时引入所述还原剂 和前体。

14.权利要求1的方法，进一步包括：

a)向气化器中引入前体，其中该前体在开始时为液态；

b)将该前体气化，形成至少部分为气态的前体；以及

c)将该气态前体引入反应室。

15.权利要求14的方法，进一步包括通过利用惰性气体加压将所述液 态前体引入气化器。

16.权利要求14的方法，进一步包括将至少99％的所述液态前体气 化。

17.权利要求14的方法，其中将全部液态前体气化以形成气态前体。

18.权利要求14的方法，进一步包括在10℃至80℃的温度使前体气 化。

19.权利要求1的方法，其中所述基底为适于半导体制造的硅基底。

20.权利要求1的方法，其中所述基底为陶瓷基材料。