[发明专利]薄膜发光二极管芯片和用于制造薄膜发光二极管芯片的方法有效
| 申请号： | 200880003476.3 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101601143A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | S·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 汤春龙;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及带有层堆叠(2)的一种薄膜发光二极管芯片(1)，该层堆叠具有第一主辐射面(3)和相对的第二主辐射面(4)，使得该薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个主辐射方向(5，6)。不仅在第一主辐射面(3)上而且在第二主辐射面(4)上设置措施(7，8)用于改善在层序列(2)中产生的光的输出耦合。此外，本发明涉及用于制造薄膜发光二极管芯片(1)的一种方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 发光二极管 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有层堆叠(2)的薄膜发光二极管芯片(1)，该层堆叠具有第一主辐射面和相对的第二主辐射面(3，4)，使得所述薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个主辐射方向(5，6)，其中，为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，不仅在所述第一主辐射面而且在所述第二主辐射面(3，4)上设置措施。
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