[发明专利]薄膜发光二极管芯片和用于制造薄膜发光二极管芯片的方法

权利要求书

1.一种带有层序列(2)的薄膜发光二极管芯片(1)，

该层序列具有第一主辐射面和相对的第二主辐射面(3，4)， 使得所述薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个相对的主辐射 方向(5，6)，及

所述薄膜发光二极管芯片(1)在所述两个主辐射方向上发射 光，

其中，为了改善在所述层序列(2)中产生的光在所述两个主 辐射面上的输出耦合，不仅在所述第一主辐射面而且在所 述第二主辐射面(3，4)上设置措施，及

其中，在所述薄膜发光二极管芯片的侧上都不存在衬底， 并且在两个主发射方向上的辐射是对称的。

2.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，所述层序列(2)的所 述主辐射面(3，4)至少部分地具有粗糙部(7)。

3.根据权利要求2所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 所述粗糙部(7)是用湿式化学的或干式化学的方法产生的。

4.根据权利要求2所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 所述粗糙部(7)的结构大小大约是350nm。

5.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，在所述主辐射面 (3，4)上构造输出耦合棱镜。

6.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 在所述主辐射面(3，4)的至少一个上设置了接触面(9)用于连接所述薄 膜发光二极管芯片。

7.根据权利要求6所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 在所述接触面(9)的面向所述层序列(2)的侧上设置了镜面化(10)。

8.根据权利要求6所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 为了将电流分布到所述层序列(2)的不同的区域上，所述接触面(9)设置 为条形的。

9.根据权利要求8所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 所述接触面(9)设置为框架形的。

10.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 所述层序列(2)的厚度位于5μm和15μm之间。

11.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管芯片，其特征在于， 所述层序列具有n型掺杂的InGaN制成的和p型掺杂的InGaN制成的 相互邻近的层(11、12)。

12.一种带有根据权利要求1至11中任一项所述的薄膜发光二 极管芯片和透明的载体箔(13)的装置，该载体箔分别承载接触轨道 (14)，其中所述接触轨道(14)分别与所述薄膜发光二极管芯片(1)的接 触面(9)联接。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述接触轨道 是铟锡氧化物制成的。

14.一种用于制造薄膜发光二极管芯片的方法，所述薄膜发光二 极管芯片(1)具有至少两个相对的主辐射方向(5，6)，并且所述薄膜发光 二极管芯片(1)在所述两个主辐射方向上发射光，

具有如下步骤：

·在生长衬底(15)上尤其由半导体材料构造适用于发光的层序列 (2)，

·在所述有源的层序列的第一侧上构造第一导电接触材料层 (16)，

·对用于构造接触面(9)的所述第一导电接触材料层(16)结构化，

·把结构化的所述第一导电接触材料层与载体(17)相联接，

·去除所述生长衬底(15)，

·在与所述有源的层序列的第一侧相对的所述有源的层序列的 第二侧上构造第二导电接触材料层(18)，

·结构化所述第二导电接触材料层(18)以便构造接触面(9)，

·从所述载体(17)中分开结构化的所述第一接触材料层(16)，

·为了改善在所述层序列(2)中产生的光的输出耦合，不仅在所述 层序列(2)的第一主辐射面而且在相对的第二主辐射面(3，4)上设 置措施。