[发明专利]用于层间介电气隙的PEVCD沉积牺牲聚合物薄膜的紫外光固化无效
| 申请号： | 200880003270.0 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101589459A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | A·诺利;F·施米特;A·莱克斯曼;B·H·金;R·阿尔加瓦尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例一般提供一种在半导体器件的导电元件之间形成气隙的方法，其中气隙的介电常数约为1。气隙的形成一般通过在相应导电元件间沉积牺牲材料、在导电元件与牺牲材料上沉积多孔层、然后通过多孔层从相应导电元件之间的间隙剥除牺牲材料，从而在相应导电元件之间留下气隙。牺牲材料可以是例如聚合α-萜品烯层，多孔层可以是例如多孔碳掺杂氧化层，且剥除工艺可利用例如基于紫外线(UV)的固化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 层间介 电气 pevcd 沉积 牺牲 聚合物 薄膜 紫外 光固化 | ||
【主权项】：
1.一种用于在导电互连间形成低介电常数(k)间隙壁的方法，所述方法包括：在沉积在衬底上的牺牲层中形成多个互连特征结构，其中所述牺牲层是聚合α-萜品烯层；用导电材料填充所述互连特征结构；将多孔层沉积到所述经填充的互连特征结构与所述牺牲层上，所述多孔层具有整齐的孔隙结构；以及通过所述多孔层从在所述经填充的导电互连间的区域移除至少一部分的所述牺牲层，以在所述导电互连之间形成气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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