[发明专利]多层结构及其制备工艺有效
| 申请号： | 200880002008.4 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101584024A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 法布里斯·勒泰特 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备多层结构的工艺，该工艺包括至少以下步骤：a)在硅衬底上外延生长生长层(S1)；b)在生长层中形成至少一个图案(S2、S3)；c)在硅衬底上沉积氧化物层(S5)；d)将硅有源层转移到氧化物层上(S7-S10)；e)在每个图案的上方的硅有源层和氧化物层二者中形成空腔(S11，S12)；和f)在空腔中从生长层的每个暴露的图案生长III-V材料(S14)。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制备多层结构的工艺，该工艺包括至少以下步骤：a)在硅衬底(1)上外延生长生长层(2)；b)在生长层(2)中形成至少一个图案(20)；c)在硅衬底(1)上沉积氧化物层(3)；d)将硅有源层(41)转移到氧化物层(3)上；e)在每个图案(20)上方的硅有源层(41)和氧化物层(3)二者中形成空腔(12)；以及f)在空腔(12)中从生长层(2)的每个暴露出的图案(20)生长III-V材料(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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