[发明专利]Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体有效
| 申请号： | 200880001092.8 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101558188A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 山田修;峯本尚;平中弘一;畑山健;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;北冈康夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 氮化物 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.III族元素氮化物晶体的制造方法，其是如下的制造方法：将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入到晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，对所述晶体生长容器加压加热，在含有所述III族元素、所述碱金属以及氮的熔液中使所述III族元素和所述氮反应，以所述晶种作为核使III族元素氮化物晶体生长，其中，在对所述晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于所述碱金属的熔点的烃。
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