[发明专利]Ⅲ族元素氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族元素氮化物晶体有效
| 申请号： | 200880001092.8 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101558188A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 山田修;峯本尚;平中弘一;畑山健;佐佐木孝友;森勇介;川村史朗;北冈康夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元素 氮化物 晶体 制造 方法 | ||
1.III族元素氮化物晶体的制造方法，其是如下的制造方法：将III 族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入到晶体生长容器中，在 含氮气体气氛下，对所述晶体生长容器加压加热，在含有所述III族元素、 所述碱金属以及氮的熔液中使所述III族元素和所述氮反应，以所述晶种 作为核使III族元素氮化物晶体生长，其中，
在对所述晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于所述碱金属的熔 点的烃。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，
将所述碱金属用烃覆盖，将进行了所述覆盖的所述碱金属添加到所述 晶体生长容器中。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
还调整所述晶体生长容器中的所述烃的量。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
添加到所述晶体生长容器中的所述烃在常温下呈固体或液体的状态。
5.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述烃的沸点为150℃以上。
6.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述烃是选自链式饱和烃、链式不饱和烃、脂环式烃以及芳香族烃中 的至少一种化合物。
7.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
相对于所述碱金属100质量份，所述烃的添加量为0.03质量份以上。
8.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述晶种为III族元素氮化物单晶时，相对于所述碱金属100质量份， 所述烃的添加量为1质量份以下。
9.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
当所述晶种为形成于基板上的III族元素氮化物的薄膜时，相对于所 述碱金属100质量份，所述烃的添加量为0.6质量份以下。
10.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述III族元素为选自Al、Ga以及In中的至少一种元素，
所述III族元素氮化物为AlsGatIn(1-s-t)N表示的化合物，式中0≤s≤1、 0≤t≤1、s+t≤1。
11.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，
所述III族元素为Ga，
所述III族元素氮化物为GaN，
所述碱金属包含Na。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，
所述烃的沸点高于Na的熔点。
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