[发明专利]化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 200880000531.3 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101542690A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 安藤民智明;金野智久 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 左嘉勋;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 水系 散体 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨用水系分散体，pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)：具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)：选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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