[发明专利]化学机械研磨用水系分散体及半导体装置的化学机械研磨方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，使用化学机械研磨用水系分散体，同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上进行化学机械研磨时，使所述多晶硅膜、所述氮化硅膜及所述氧化硅膜的研磨速度均为20nm/分钟以上，使所述多晶硅膜与所述氧化硅膜的研磨速度比即多晶硅膜/氧化硅膜及所述氮化硅膜与所述氧化硅膜的研磨速度比即氮化硅膜/氧化硅膜均为0.9～1.1，其中，

所述化学机械研磨用水系分散体，pH为4～5，含有：

0.1～4质量％的A：具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及

0.1～3质量％的B：选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，并且，

所述A成分与所述B成分的质量比A/B为1～3。