[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 200880000427.4 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101542742A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 中山彻生;荒井俊明 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了能够增大导通/截止比的薄膜晶体管、其制造方法以及显示装置。在薄膜晶体管中，顺序或逆序在衬底(2)上层叠栅极电极(3)、栅极绝缘膜(4)、沟道层(5)以及源极/漏极层(7，8)，其特征在于，杂质包含在源极/漏极层(7，8)中，且杂质的浓度梯度为朝向沟道层(5)变为低浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，通过顺序或逆序在衬底上层叠栅极电极、栅极绝缘膜、沟道层以及源极/漏极层而形成，特征在于：所述源极/漏极层由包含浓度在沟道层侧比另一侧低的杂质的硅层构成。
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