[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，通过顺序或逆序在衬底上层叠栅极电极、栅极绝缘膜、沟道层以及源极/漏极层而形成，其中：

所述源极/漏极层由包含浓度在沟道层侧比另一侧低的杂质的硅层构成，在所述沟道层侧提供微晶硅层，而在所述另一侧提供非晶硅层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述源极/漏极层由包含杂质的所述硅层构成，所述杂质的浓度梯度为浓度朝向所述沟道层变低。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述薄膜晶体管是n沟道型。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述源极/漏极层由硅层形成，所述硅层由包含浓度朝向所述沟道层逐渐变低的杂质的多层构成。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中：

所述源极/漏极层由包含杂质的第一硅层和第二硅层构成，所述第二硅层包含的杂质浓度高于所述第一硅层包含的杂质浓度；并且

所述第一硅层设置在所述沟道层侧，所述第一硅层由所述微晶硅层构成，所述第二硅层由所述非晶硅层构成。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管通过顺序或逆序在衬底上层叠栅极电极、栅极绝缘膜、沟道层以及源极/漏极层而形成，其中：

通过在形成所述源极/漏极层的工艺中改变第一气体和第二气体的流量比，所述源极/漏极层形成为由包含浓度在沟道层侧低于另一侧的杂质的硅层构成，

其中所述第一气体是成膜气体，而所述第二气体包括在所述硅层中含有的杂质。

7.如权利要求6所述的用于所述薄膜晶体管的制造方法，其中：

所述第一气体包括甲硅烷，所述第二气体包括膦，并且所述源极/漏极层通过等离子体CVD法形成。

8.如权利要求6所述的所述薄膜晶体管的制造方法，其中：

通过改变构成所述第一气体的第三气体和第四气体的流量比，微晶硅层形成在所述沟道层侧，非晶硅层形成在另一侧，其中所述第三气体是甲硅烷，所述第四气体是氢气。

9.如权利要求8所述的所述薄膜晶体管的制造方法，其中：

所述第四气体对所述第三气体的流量比在形成所述微晶硅层的情况中比在形成所述非晶硅层的情况中放大。

10.一种显示装置，其中薄膜晶体管以及连接到所述薄膜晶体管的显示元件排列并形成在衬底上，所述薄膜晶体管通过顺序或逆序在衬底上层叠栅极电极、栅极绝缘膜、沟道层以及源极/漏极层而形成，其中：

所述源极/漏极层由包含杂质的硅层构成，所述杂质的浓度在沟道层侧低于另一侧，在所述沟道层侧提供微晶硅层，而在另一侧提供非晶硅层。

11.如权利要求10所述的显示装置，其中：

所述显示元件是有机EL发光元件，而所述薄膜晶体管是用于驱动所述有机EL发光元件的驱动元件。

12.一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管通过顺序或逆序在衬底上层叠栅极电极、栅极绝缘膜、沟道层以及源极/漏极层而形成，其中：

在形成所述源极/漏极层的工艺中，所述源极/漏极层形成为由包含浓度在沟道层侧低于另一侧的杂质的硅层构成，在沟道层侧形成微晶硅层，而在另一侧形成非晶硅层。