[发明专利]碳化硅半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200880000265.4 | 申请日： | 2008-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101542688A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高桥邦方;工藤千秋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括如下所述的工序的碳化硅半导体元件的制造方法，即：向在具有第1及第2主面的碳化硅基板1的所述第1主面上形成的碳化硅层(2)的至少一部分中注入杂质离子(3)，形成杂质掺杂区域的工序(A)；在所述碳化硅层(2)的至少上面(2a)及所述碳化硅基板(1)的至少第2主面(12a)上形成具有耐热性的帽层(6)的工序(B)；和以规定的温度加热所述碳化硅层(2)，进行活化退火处理的工序(C)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体元件的制造方法，包括：工序(A)，其中，向在具有第1及第2主面的碳化硅基板的所述第1主面上形成的碳化硅层的至少一部分注入杂质离子，形成杂质掺杂区域；工序(B)，其中，在所述碳化硅层的至少上面及所述碳化硅基板的至少第2主面，形成帽层；和工序(C)，其中，以规定的温度对所述碳化硅层进行加热，进行活化退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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