[发明专利]碳化硅半导体元件的制造方法无效
申请号: | 200880000265.4 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101542688A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 高桥邦方;工藤千秋 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅半导体元件的制造方法,
包括:
工序(A),其中,向在具有第1及第2主面的碳化硅基板的所述第1主面上形成的碳化硅层的至少一部分注入杂质离子,形成杂质掺杂区域;
工序(B),其中,在所述碳化硅层的至少上面及所述碳化硅基板的至少第2主面,形成帽层;和
工序(C),其中,以规定的温度对所述碳化硅层进行加热,进行活化退火处理,
所述帽层由结晶性碳膜、无定形碳膜或有机膜形成。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
所述碳化硅基板是至少具有50mm以上的直径的碳化硅晶片。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
所述结晶性碳膜为类金刚石碳膜。
4.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
所述有机膜为抗蚀剂膜。
5.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
在所述工序(B)中,在形成有所述碳化硅层的碳化硅基板的全体上形成所述帽层。
6.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
所述规定的温度高于1700℃,是所述帽层残留的临界温度以下。
7.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
在所述工序(C)中,直至到达所述规定温度的最大升温速度为200℃/分以上且1000℃/分以下。
8.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
在所述工序(A)中,以不同的加速能多次注入所述杂质离子。
9.根据权利要求1或者2所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
所述工序(A)包括:形成覆盖所述碳化硅层的上面的规定区域的注入掩模的工序。
10.根据权利要求9所述的碳化硅半导体元件的制造方法,其中,
所述工序(A)包括:使用不同的注入掩模注入彼此不同的杂质离子的工序。
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