[实用新型]绝缘栅双极晶体管跨导控制结构无效
| 申请号： | 200820215450.2 | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN201348999Y | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 屈志军 | 申请（专利权）人： | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214125江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种IGBT管芯的绝缘栅双极晶体管跨导控制结构，包括N型硅片、集电区、沟槽区、发射区、集电极、栅绝缘层、硅多晶填料、二氧化硅填料，所述沟槽区在N型硅片上形成于集电区上层，所述发射区在N型硅片上形成于沟槽区上层，集电区下层设有一薄层集电极；所述N型硅片上层敷有电极的金属层；所述集电极下面敷有集电极金属层；N型硅片上设有若干沟槽，若干沟槽内填有二氧化硅填料或沟槽内侧涂有一层栅绝缘层，并在栅绝缘层中填有硅多晶填料。本实用新型能有效控制IGBT的跨导，在不增加通态降压的同时降低了饱和电流，从而提高了器件的抗短路能力，提高了IGBT运行的安全性、可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 控制 结构 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅双极晶体管跨导控制结构，包括N型硅片(1)、电极的金属层(2)、发射区(3)、集电区(8)、沟槽区(7)及集电极(9)，所述沟槽区(7)在N型硅片(1)上形成于集电区(8)上层，所述发射区(3)在N型硅片(1)上形成于沟槽区(7)上层，集电区(8)下层设有一薄层集电极(9)；所述N型硅片(1)上层敷有电极的金属层(2)；所述集电极(9)下面敷有集电极金属层(10)；N型硅片(1)上设有若干沟槽，其特征是：若干沟槽内填有二氧化硅填料(6)或沟槽内侧涂有一层栅绝缘层(5)，并在栅绝缘层(5)中填有硅多晶填料(4)。
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