[实用新型]具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池，以晶体硅为基片，依次包括：减反射和钝化膜[1]，N型硅层[2]，PN结[3]，P型硅层[4]，背面钝化层[5]，P型层引出电极[6]从非受光面引出。根据本实用新型，硅基片上分布有从硅片受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4]，背面钝化层[5]的孔或槽；在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7]，N型层引出电极[8]与之连接，从非受光面引出。本实用新型实现电池电极全部由背表面引出，取得了转换效率高、极连方便、可靠性高等有益效果。

主权项

1、一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池，以晶体硅为基片，从电池的受光面到非受光面依次包括：减反射和钝化膜[1]，N型硅层[2]，PN结[3]，P型硅层[4]，背面钝化层[5]，P型层引出电极[6]从非受光面引出；其特征在于：所述的硅基片上，分布着一些从硅片的受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4]，背面钝化层[5]的孔或槽；在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7]，N型层引出电极[8]与N型硅烧结体[7]连接，从非受光面引出。