[实用新型]具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池

权利要求书

1、一种具有硅烧结体内连结构的硅太阳电池，以晶体硅为基片，从电池的受光面到非受光面依次包括：减反射和钝化膜[1]，N型硅层[2]，PN结[3]，P型硅层[4]，背面钝化层[5]，P型层引出电极[6]从非受光面引出；其特征在于：所述的硅基片上，分布着一些从硅片的受光面N型硅层[2]穿过PN结[3]、P型硅层[4]，背面钝化层[5]的孔或槽；在这些孔或槽中分布有N型硅烧结体[7]，N型层引出电极[8]与N型硅烧结体[7]连接，从非受光面引出。

2、如权利要求1所述的硅太阳电池，其特征在于：所述的N型硅层和P型硅层的顺序可以相互交换排列，当电池受光面一侧为P型硅层时，分布于上述孔或槽中的是P型硅烧结体，P型层引出电极与P型硅烧结体连接，从非受光面引出。

3、如权利要求1或2所述的硅太阳电池，其特征在于：所述的N型硅烧结体或P型硅烧结体采用硅浆料。