[实用新型]多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉无效

专利信息
申请号: 200820113667.2 申请日: 2008-12-16
公开(公告)号: CN201309981Y 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 黄以平;李少林;宋宜梅 申请(专利权)人: 桂林实创真空数控设备有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B11/00;C01B33/037
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 代理人: 陆梦云
地址: 541003广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 实用新型提供了一种多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉,其特征是:熔炼室为方形或圆柱形,室壁为双层水冷结构或盘管水冷结构,电子枪垂直向下或水平安装在熔炼室的室壁上,真空系统配置在熔炼室的后方,在送料机构的送料室与熔炼室之间设有隔离阀门,在熔炼室的另一侧配装有充气系统的充气阀门,出料机构设置在熔炼室的底部,与拉锭机构相接,在出料机构和熔炼室之间设置有拉锭室隔离阀,熔炼室内设有水冷坩埚和结晶坩埚,电控系统的高压电源的所有高压器件装在盛有变压器的油箱内,采用变压器油绝缘,高压电源与电控柜连接,电控柜与操作台连接。这种熔炼炉能同时提纯多种元素,生产效率高,能耗低,节能效果好,容易实现大型化和自动化。
搜索关键词: 多晶 提纯 真空 电子束 熔炼炉
【主权项】:
1、一种多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉,包括熔炼室、电子枪、电子束控制系统、抽真空系统、电控系统、、送、出料机构、拉锭机构和自动控制系统,其特征是:熔炼室(5)为方形或圆柱形,室壁为双层水冷结构或盘管水冷结构,电子枪(1、2)为2-4把,垂直向下或水平安装在熔炼室(5)的室壁上,真空系统配置在熔炼室(5)的后方,送料机构(6)设置在熔炼室(5)的一侧,在送料机构(6)的送料室与熔炼室(5)之间设有隔离阀门,在熔炼室(5)的另一侧配装有充气系统的充气阀门(10),出料机构(21)设置在熔炼室(5)的底部,与拉锭机构(13)相接,在出料机构(21)和熔炼室(5)之间设置有拉锭室隔离阀(12),熔炼室(5)内设有水冷坩埚(8)和结晶坩埚(9),电控系统的高压电源(15)的所有高压器件装在盛有变压器的油箱内,采用变压器油绝缘,高压电源(15)与电控柜(16)连接,电控柜(16)与操作台(17)连接。
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