[实用新型]多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉

权利要求书

1、一种多晶硅提纯用真空电子束熔炼炉，包括熔炼室、电子枪、电子束控制系统、抽真空系统、电控系统、、送、出料机构、拉锭机构和自动控制系统，其特征是：熔炼室(5)为方形或圆柱形，室壁为双层水冷结构或盘管水冷结构，电子枪(1、2)为2-4把，垂直向下或水平安装在熔炼室(5)的室壁上，真空系统配置在熔炼室(5)的后方，送料机构(6)设置在熔炼室(5)的一侧，在送料机构(6)的送料室与熔炼室(5)之间设有隔离阀门，在熔炼室(5)的另一侧配装有充气系统的充气阀门(10)，出料机构(21)设置在熔炼室(5)的底部，与拉锭机构(13)相接，在出料机构(21)和熔炼室(5)之间设置有拉锭室隔离阀(12)，熔炼室(5)内设有水冷坩埚(8)和结晶坩埚(9)，电控系统的高压电源(15)的所有高压器件装在盛有变压器的油箱内，采用变压器油绝缘，高压电源(15)与电控柜(16)连接，电控柜(16)与操作台(17)连接。

2、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：所述的电子枪(1、2)功率在30KW-300KW之间，电子枪(1、2)加速电压在20KV-45KV之间，电子束(3、4)偏转角度为5-30度，电子枪(1、2)的真空系统(19)由1-3级真空系统组成，每级真空系统(19)由旋片泵加扩散泵或旋片泵加分子泵组成；电子发生器室真空度在10^-3-10^-4Pa之间。

3、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：配装在油箱里的变压器件用变压器油绝缘，高压电源(15)功率为40-400KVA，加速电压为20-45KV，电压值通过程序设定或手动调节。

4、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：电子束流在0-10A之间连续可调，束斑直径在5-30mm之间。

5、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：所述的水冷坩埚(8)由铜或石墨制成平底坩埚或圆弧底坩埚，坩埚熔池制成方形或圆形。

6、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：所述的结晶坩埚(9)由铜材料制成，底部为一个旋转的底锭(11)，底锭(11)的材料为石英或石墨，底锭(11)的旋转速度为0.5-5转/分钟，向下拉锭速度为0.5-20mm/min。

7、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：所述的熔炼室(5)工作真空度在10^-2-10^-4Pa之间。

8、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：所述的拉锭机构(13)由与丝杆和密封水套连接的旋转电机和垂直拉锭电机组成。

9、根据权利要求1所述的熔炼炉，其特征是：所述的视频观察系统(20)设置在熔炼室(5)、送料机构(6)和拉锭室门上。