[实用新型]850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置无效
| 申请号： | 200820076136.0 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN201159817Y | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 盖盈 | 申请（专利权）人： | 盖盈 |
| 主分类号： | G03B15/02 | 分类号： | G03B15/02;H04N5/225 |
| 代理公司： | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张贰群 |
| 地址： | 050003河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，涉及生物识别、安全监控和摄影设备技术领域。包括阵列成像探测器，其特征在于设有中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构，该中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构的光源前面设有光束散射板，上述阵列成像探测器的前面设有能透过中心波长850纳米红外光的光学滤光片。本实用新型的特点是：利用红外光进行主动照明，使用光束散射板提高图像信噪比和均匀性，使所获得的图像具有信噪比高、均匀性高、清晰度高、对比度高等优点，从而可有效提高图像识别的准确度和识别率，技术上具有独特性。可广泛应用于人脸识别、指纹识别等生物识别领域。 | ||
| 搜索关键词： | 850 纳米 红外 发光二极管 主动 照明 抗干扰 成像 装置 | ||
【主权项】：
1、一种850纳米红外发光二极管主动照明的抗干扰成像装置，包括阵列成像探测器(4、41)，其特征在于设有中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构(2)，该中心波长850纳米红外发光二极管主动照明结构(2)的光源前面设有光束散射板(1)，上述阵列成像探测器(4)的前面设有能透过中心波长850纳米红外光的光学滤光片(3)。
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